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ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher (schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP)

ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
Abb. kann vom Original abweichen.
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
ADATA DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, AX4U360016G18I-DTBKD35, XPG Gammix D35, INTEL XMP
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Produktbeschreibung

Das ADATA AX4U360016G18I-DTBKD35 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR5-3600-Speichermodulen (PC5-28800) aus der XPG Gammix D35 Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die 288-Pin-DIMMs unterstützen ein Timing von 18-22-22 bei 3600 MHz und benötigen eine Spannung von 1,35 Volt. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 100006574

Details

TypSDRAM-DDR4
Farbeschwarz
EAN4711085942968
Hersteller-Nr.AX4U360016G18I-DTBKD35
SerieXPG Gammix D35
Kapazität32 GB (2 x 16 GB)
Anzahl2 Stück
BauformDIMM
ProfileINTEL XMP (Version 2.0)
Anschluss288-Pin
Spannung1,35 Volt
StandardDDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
TimingsCAS Latency (CL)18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Weitere InformationenDDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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