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Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher (schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP)

Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP
Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP
Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP
Abb. kann vom Original abweichen.
Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP
Corsair DIMM 64 GB DDR4-3600 (4x 16 GB) Quad-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMN64GX4M4Z3600C18, Vengeance RGB RT, INTEL XMP
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Produktbeschreibung

Das Corsair CMN64GX4M4Z3600C18 ist ein Kit aus vier 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Vengeance RGB RT Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Die 288-Pin Module unterstützen eine Latenz von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 Volt Spannung. Die Vengeance RGB RT Serie verfügt über maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einstellbarer LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1778276

Details

TypSDRAM-DDR4
Farbeschwarz
EAN0840006650706
Hersteller-Nr.CMN64GX4M4Z3600C18
SerieVengeance RGB RT
Kapazität64 GB (4 x 16 GB)
Anzahl4 Stück
BauformDIMM
ProfileINTEL XMP (Version 2.0)
Anschluss288-Pin
Spannung1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
StandardDDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
TimingsCAS Latency (CL)18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Row-Active-Time (tRAS)42
Weitere InformationenDDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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